RFTYT 60 МГц-18,0 ГГц Радіочастотний коаксіальний ізолятор з двома / кількома з’єднаннями | ||||||||||
Модель | Діапазон частот | Пропускна здатність (макс.) | Втрата вставки (дБ) | Ізоляція (дБ) | КСВ (макс.) | Сила вперед (W) | Зворотне живлення (W) | Розмір Ш×Д×В(мм) | SMA Технічний паспорт | N Технічний паспорт |
TG12060E | 80-230 МГц | 5~30% | 1.2 | 40 | 1.25 | 150 | 10-100 | 120,0*60,0*25,5 | SMA PDF | N PDF |
TG9662H | 300-1250 МГц | 5~20% | 1.2 | 40 | 1.25 | 300 | 10-100 | 96,0*62,0*26,0 | SMA PDF | N PDF |
TG9050X | 300-1250 МГц | 5~20% | 1.0 | 40 | 1.25 | 300 | 10-100 | 90,0*50,0*18,0 | SMA PDF | N PDF |
TG7038X | 400-1850 МГц | 5~20% | 0,8 | 45 | 1.25 | 300 | 10-100 | 70,0*38,0*15,0 | SMA PDF | N PDF |
TG5028X | 700-4200 МГц | 5~20% | 0,6 | 45 | 1.25 | 200 | 10-100 | 50,8*28,5*15,0 | SMA PDF | N PDF |
TG7448H | 700-4200 МГц | 5~20% | 0,6 | 45 | 1.25 | 200 | 10-100 | 73,8*48,4*22,5 | SMA PDF | N PDF |
TG14566K | 1,0-2,0 ГГц | Повний | 1.4 | 35 | 1.40 | 150 | 100 | 145,2*66,0*26,0 | SMA PDF | / |
TG6434A | 2,0-4,0 ГГц | Повний | 1.2 | 36 | 1.30 | 100 | 10-100 | 64,0*34,0*21,0 | SMA PDF | / |
TG5028C | 3,0-6,0 ГГц | Повний | 1.0 | 40 | 1.25 | 100 | 10-100 | 50,8*28,0*14,0 | SMA PDF | N PDF |
TG4223B | 4,0-8,0 ГГц | Повний | 1.2 | 34 | 1.35 | 30 | 10 | 42,0*22,5*15,0 | SMA PDF | / |
TG2619C | 8,0-12,0 ГГц | Повний | 1.0 | 36 | 1.30 | 30 | 10 | 26,0*19,0*12,7 | SMA PDF | / |
RFTYT 60 МГц-18,0 ГГц Радіочастотний подвійний/багатороз’ємний вставний ізолятор | ||||||||||
Модель | Діапазон частот | Пропускна здатність (макс.) | Втрата вставки (дБ) | Ізоляція (дБ) | КСВ (макс.) | Сила вперед (W) | Зворотне живлення (W) | Розмір Ш×Д×В(мм) | Смугова лінія Технічний паспорт | |
WG12060H | 80-230 МГц | 5~30% | 1.2 | 40 | 1.25 | 150 | 10-100 | 120,0*60,0*25,5 | / | |
WG9662H | 300-1250 МГц | 5~20% | 1.2 | 40 | 1.25 | 300 | 10-100 | 96,0*48,0*24,0 | / | |
WG9050X | 300-1250 МГц | 5~20% | 1.0 | 40 | 1.25 | 300 | 10-100 | 96,0*50,0*26,5 | / | |
WG5025X | 350-4300 МГц | 5~15% | 0,8 | 45 | 1.25 | 250 | 10-100 | 50,8*25,0*10,0 | / | |
WG7038X | 400-1850 МГц | 5~20% | 0,8 | 45 | 1.25 | 300 | 10-100 | 70,0*38,0*13,0 | / | |
WG4020X | 700-2700 МГц | 5~20% | 0,8 | 45 | 1.25 | 100 | 10-100 | 40,0*20,0*8,6 | / | |
WG4027X | 700-4000 МГц | 5~20% | 0,8 | 45 | 1.25 | 100 | 10-100 | 40,0*27,5*8,6 | / | |
WG6434A | 2,0-4,0 ГГц | Повний | 1.2 | 36 | 1.30 | 100 | 10-100 | 64,0*34,0*21,0 | / | |
WG5028C | 3,0-6,0 ГГц | Повний | 1.0 | 40 | 1.25 | 100 | 10-100 | 50,8*28,0*14,0 | / | |
WG4223B | 4,0-8,0 ГГц | Повний | 1.2 | 34 | 1.35 | 30 | 10 | 42,0*22,5*15,0 | / | |
WG2619C | 8,0 - 12,0 ГГц | Повний | 1.0 | 36 | 1.30 | 30 | 5-30 | 26,0*19,0*13,0 | / |
Однією з ключових характеристик двоперехідного ізолятора є ізоляція, яка відображає ступінь ізоляції сигналу між вхідним портом і вихідним портом.Зазвичай ізоляція вимірюється в (дБ), а висока ізоляція означає кращу ізоляцію сигналу.Ізоляція двоперехідних ізоляторів зазвичай може досягати десятків децибел і більше.Звичайно, коли ізоляція вимагає більшого часу, також можна використовувати багатоперехідні ізолятори.
Іншим важливим параметром двоперехідного ізолятора є внесені втрати (Insertion Loss), що відноситься до втрати сигналу від вхідного порту до вихідного порту.Менші внесені втрати означають, що сигнал може проходити більш ефективно через ізолятор.Подвійні ізолятори зазвичай мають дуже низькі внесені втрати, як правило, нижче кількох децибел.
Крім того, подвійні ізолятори також мають широкий частотний діапазон і здатність працювати з потужністю.Різні ізолятори можуть застосовуватися в різних частотних діапазонах, таких як мікрохвильовий діапазон (0,3 ГГц - 30 ГГц) і міліметровий діапазон частот (30 ГГц - 300 ГГц).При цьому він здатний витримувати досить високі рівні потужності, починаючи від декількох ват до десятків ват.
Розробка та виготовлення подвійного ізолятора вимагає врахування багатьох факторів, таких як робочий діапазон частот, вимоги до ізоляції, внесені втрати, обмеження розміру тощо. Як правило, інженери використовують моделювання електромагнітного поля та методи оптимізації для визначення відповідних структур і параметрів.Процес виробництва ізоляторів із подвійним з’єднанням зазвичай включає складні методи обробки та складання для забезпечення надійності та продуктивності пристрою.
Загалом подвійний ізолятор є важливим пасивним пристроєм, який широко використовується в мікрохвильових і міліметрових системах для ізоляції та захисту сигналів від відбиття та взаємних перешкод.Він має характеристики високої ізоляції, низьких внесених втрат, широкого частотного діапазону та високої потужності, що має важливий вплив на продуктивність і стабільність системи.З безперервним розвитком бездротового зв’язку та радіолокаційних технологій попит і дослідження подвійних ізоляторів будуть продовжувати розширюватися та поглиблюватися.