продукція

Продукція

Фланцеве припинення

Фланцеві закінчення встановлюються в кінці ланцюга, який поглинає сигнали, що передаються в ланцюзі, і запобігають відображенням сигналу, тим самим впливаючи на якість передачі системи ланцюга. Фланцевий клем збирається зварюванням одного резистора про свинцю з фланцями та патчами. Розмір фланця зазвичай розроблений на основі комбінації отворів встановлення та розмірів опору терміналу. Налаштування також може бути здійснено відповідно до вимог замовника.


  • Оцінка потужності:5-1500 Вт
  • Матеріали підкладки:Beo 、 aln 、 al2o3
  • Номінальне значення опору:50 Ом
  • Толерантність до опору:± 5%、 ± 2%、 ± 1%
  • Коефіцієнт температури:< 150ppm/℃
  • Температура роботи:-55 ~+150 ℃
  • Фланцеве покриття:Необов’язкове нікель або срібне покриття
  • ROHS Standard:Відповідати
  • Довжина свинцю:L, як зазначено в аркуші даних
  • Спеціальний дизайн доступний за запитом:
  • Деталі продукту

    Теги продукту

    Фланцеве припинення

    Фланцеве припинення
    Основні технічні характеристики:

    Оцінка потужності: 5-1500 Вт ;
    Матеріали підкладки: beo 、 aln 、 al2o3
    Номінальне значення опору: 50 Ом
    Толерантність резистентності: ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    Коефіцієнт температури: < 150ppm/℃
    Температура експлуатації: -55 ~+150 ℃
    Фланцеве покриття: Необов’язкове нікель або срібне покриття
    Стандарт ROHS: сумісна з
    Застосовується стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Довжина свинцю: l Як зазначено в аркуші даних
    (Може бути налаштовано відповідно до вимог клієнтів)

    zxczxc1
    Влада
    (W)
    Частота
    Діапазон
    Розмір (одиниця: мм) СубстратМатеріал Конфігурація Аркуш даних
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4,0 9.0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Al2O3  Рис .1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4,0 7,6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,2 Al2O3  Рис .1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Al2O3  Рис .2   RFT50A-05TM0904 (R, L, I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5,0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1,0 3,0 / 3.1 Бео Рис .2   RFT50-10TM7750 ((R, L))
    6 ГГц 13.0 4,0 9.0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Al2O3  Рис .1   RFT50A-10TM1304
    Альн Рис .1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4,0 7,6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,2 Al2O3  Рис .1   RFT50A-10TM1104
    Альн Рис .1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Al2O3 Рис .2   RFT50A-10TM0904 (R, L, I)
      Альн Рис .2   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8 ГГц 13.0 4,0 9.0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Бео Рис .1   RFT50-10TM1304
    11.0 4,0 7,6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,2 Бео Рис .1   RFT50-10TM1104
    9.0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Бео Рис .2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 ГГц 7.7 5,0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1,0 3,0 / 3.1 Бео Рис .2   RFT50-10TM7750i
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5,0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1,0 3,0 / 3.1 Бео Рис .2   RFT50-20TM7750 ((R, L))
    6 ГГц 13.0 4,0 9.0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Альн Рис .1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4,0 7,6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,2 Альн Рис .1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Альн Рис .2   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8 ГГц 13.0 4,0 9.0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Бео Рис .1   RFT50-20TM1304
    11.0 4,0 7,6 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,2 Бео Рис .1   RFT50-20TM1104
    9.0 4,0 7,0 4,0 0,8 1.8 2.8 1,0 4,0 / 2,1 Бео Рис .2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18 ГГц 7.7 5,0 5.1 2,5 1,5 2,5 3,5 1,0 3,0 / 3.1 Бео Рис .2   RFT50-10TM7750i
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6,0 13.0 6,0 1,0 2,0 3,0 1,0 5,0 / 2,1 Альн Рис .1   RFT50N-30TJ1606
    Бео Рис .1   RFT50-30TM1606
    20.0 6,0 14.0 6,0 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .1   RFT50N-30TJ2006
    Бео Рис .1   RFT50-30TM2006
    13.0 6,0 10,0 6,0 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .2   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3,0 Бео Рис .2   RFT50-30TM1306 (R, L, I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6,0 13.0 6,0 1,0 2,0 3,0 1,0 5,0 / 2,1 Альн Рис .1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 Бео Рис .1   RFT50-60TM1606
    20.0 6,0 14.0 6,0 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 Бео Рис .1   RFT50-60TM2006
    13.0 6,0 10,0 6,0 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .2   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 Бео Рис .2   RFT50-60TM1306 (R, L, I)
    法兰式终端 Рис .3,5
    Влада
    (W)
    Частота
    Діапазон
    Розміри (одиниця: мм) Субстрат
    Матеріал
    Конфігурація Лист даних (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24,8 9.5 18.4 9.5 2,9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Бео Рис .1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6,0 13.0 9.0 1,0 2,0 2,5 1,0 6,0 / 2,1 Бео Рис .2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6,0 14.0 9.0 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50N-100TJ2006
    24,8 6,0 18.4 6,0 2.8 3.8 4.6 1,0 5,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50-100TM2506
    16.0 10,0 13.0 10,0 1,5 2,6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Бео Фіг.4   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3,0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50-100TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10,0 6.35 1,5 2,5 3.2 1,0 5,0 / 3.2 Бео Рис .2   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1,5 2,5 3,5 1,0 5,0 / 2,5 Бео Рис .1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6,0 13.0 8,9 1,0 2,0 2,5 1,0 5,0 / 2,1 Альн Рис .1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6,0 14.0 8,9 1,5 2,5 3,0 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6,0 14.0 8,9 1,5 3,0 3,5 1,0 5,0 / 3.2 Альн Рис .1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1,5 2,6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Бео Фіг.4   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1,5 2,6 3,0 1.4 5,0 / 4,0 Аїн Рис .1   RFT50N-150TJ2295
    24,8 9.5 18.4 9.5 2,9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Бео Рис .1   RFT50-150TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1,5 2,6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Бео Фіг.4   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3,0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .3   RFT50-150TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24,8 9.5 18.4 9.5 2,9 4.8 5.5 1.4 6,0 / 3.1 Бео Рис .1   RFT50-200TM2595
    24,8 10,0 18.4 10,0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1,5 2,6 3.3 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .2   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1,5 3,0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .3   RFT50-200TJ2310
    24,8 10,0 18.4 10,0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3,0 5,0 6,0 2,4 6,0 / 4,0 Бео Рис .1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1,5 3,0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .3   RFT50-250TM2310
    24,8 10,0 18.4 12.0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-250TM2510
    27.0 10,0 21.0 12.0 2,5 4,0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3,0 5,0 6,0 2,4 6,0 / 4,0 Бео Рис .1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1,5 3,0 3.8 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50-300TM2310
    24,8 10,0 18.4 12.0 3,0 4.6 5.5 1.4 6,0 / 3,5 Бео Рис .1   RFT50-300TM2510
    27.0 10,0 21.0 12.0 2,5 4,0 5.5 1.4 6,0 / 3.2 Бео Рис .1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3,0 5,0 6,0 2,4 6,0 / 4,0 Бео Рис .1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3,0 5,0 6,0 2,4 6,0 / 4,0 Бео Рис .1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3,0 5,0 6,0 2,4 6,0 / 4,0 Бео Рис .1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3,0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 Бео Фіг.5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48.0 26.0 40.0 26.0 3,0 6.2 6.9 6,0 7,0 12.7 4.2 Бео Фіг.5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78.0 40.0 26.0 5,0 8.2 9.0 6,0 7,0 15.0 4.2 Бео Фіг.5   RFT50-1500TM5078

    Огляд

    Фланець, як правило, виготовлений з мідно -покритого нікелю або обробки срібла. Субстрат резистентності, як правило, виготовляється з оксиду берилію, нітриду алюмінію та друку оксиду алюмінію відповідно до потреб у потужності та умовах розсіювання тепла.

    Фланцеве припинення, як і свинцеве припинення, в основному використовується для поглинання сигнальних хвиль, що передаються до кінця ланцюга, запобігання відображенням сигналу впливати на ланцюг та забезпечити якість передачі системи ланцюга.

    Фланцеве закінчення має характеристику легкої установки порівняно з патч -резисторами завдяки його фланцям та монтажу отворів на фланці.


  • Попередній:
  • Далі: