продуктів

Продукти

Фланцеве закінчення

Фланцеві закінчення встановлюються наприкінці ланцюга, які поглинають сигнали, що передаються в ланцюзі, і запобігають відображенню сигналу, тим самим впливаючи на якість передачі ланцюгової системи.

Фланцева клема збирається шляхом зварювання одинарного резистора з фланцями та накладками.Розмір фланця зазвичай розраховується на основі комбінації монтажних отворів і розмірів опору клем.Також можна налаштувати відповідно до вимог клієнта до використання.


  • :
  • Деталі продукту

    Теги товарів

    Фланцеве закінчення

    Фланцеве закінчення
    Основні технічні характеристики:

    Номінальна потужність: 5-1500 Вт;
    Матеріали підкладки: BeO、AlN、Al2O3
    Номінальне значення опору: 50 Ом
    Допуск опору: ±5%、±2%、±1%
    Температурний коефіцієнт: <150ppm/℃
    Робоча температура: -55 ~ + 150 ℃
    Покриття фланця: на вибір нікель або посріблення
    Стандарт ROHS: відповідає
    Застосовний стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Довжина дроту: L, як зазначено в технічному паспорті
    (можна налаштувати відповідно до вимог замовника)

    zxczxc1
    потужність
    (W)
    Частота
    Діапазон
    Розмір (одиниця: мм) Підкладкаматеріал Конфігурація Технічний паспорт
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.2   RFT50A-05TM0904(R,L,I)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-10TM1304
    AlN ФІГ.1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  ФІГ.1   RFT50A-10TM1104
    AlN ФІГ.1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 ФІГ.2   RFT50A-10TM0904(R,L,I)
      AlN ФІГ.2   RFT50N-10TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФІГ.1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-20TM7705((R,L))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN ФІГ.2   RFT50N-20TJ0904(R,L,I)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 BeO ФІГ.1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM0904(R,L,I)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 BeO ФІГ.2   RFT50-10TM7705I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-30TJ1606
    BeO ФІГ.1   RFT50-30TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-30TJ2006
    BeO ФІГ.1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10,0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.2   RFT50N-30TJ1306(R,L,I)
    3.0 BeO ФІГ.2   RFT50-30TM1306(R,L,I)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-60TM1606
    20,0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10,0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.2   RFT50N-60TJ1306(R,L,I)
    3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-60TM1306(R,L,I)
    法兰式终端FIG3,4,5
    потужність
    (W)
    Частота
    Діапазон
    Розміри (одиниці: мм) Підкладка
    матеріал
    Конфігурація Технічний паспорт (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 BeO ФІГ.2   RFT50N-100TM1606
    20,0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM2506
    16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.4   RFT50-100TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10,0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-100TJ1363(R,L,I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 BeO ФІГ.1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ1606B
    20,0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20,0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN ФІГ.1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.4   RFT50-150TM1610(R,L,I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 AIN ФІГ.1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-150TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.4   RFT50-150TJ1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM2595
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10,0 13.0 10,0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.2   RFT50-200TM1610(R,L,I)
    23.0 10,0 17.0 10,0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10,0 18.4 10,0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.3   RFT50-250TM2310
    24.8 10,0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM2510
    27,0 10,0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10,0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2310
    24.8 10,0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2510
    27,0 10,0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32,0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 BeO ФІГ.1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15,0 4.2 BeO ФІГ.5   RFT50-1500TM5078

    Огляд

    Фланець, як правило, виготовляється з мідного нікелю або обробки сріблом.Підкладка опору зазвичай виготовляється з оксиду берилію, нітриду алюмінію та друку оксиду алюмінію відповідно до вимог до потужності та умов розсіювання тепла.

    Фланцеве закінчення, як і виведене, в основному використовується для поглинання сигнальних хвиль, що передаються до кінця ланцюга, запобігання впливу відбиття сигналу на ланцюг і забезпечення якості передачі ланцюгової системи.

    Фланцеве закінчення має характеристику легкого встановлення порівняно з патч-резисторами завдяки своєму фланцу та монтажним отворам на фланці.


  • Попередній:
  • далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам