продукти

Продукти

Фланцеве завершення

Фланцеві виводи встановлюються на кінці кола, вони поглинають сигнали, що передаються в колі, та запобігають їх відбиттю, тим самим впливаючи на якість передачі сигналу в системі кола. Фланцевий вивід збирається шляхом зварювання однопровідного кінцевого резистора з фланцями та накладками. Розмір фланця зазвичай розраховується на основі комбінації монтажних отворів та розмірів опору виводу. Також можливі індивідуальні налаштування відповідно до вимог замовника.


  • Номінальна потужність:5-1500 Вт
  • Матеріали основи:BeO, AlN, Al₂O₃
  • Номінальне значення опору:50 Ом
  • Допуск опору:±5%, ±2%, ±1%
  • Температурний коефіцієнт:<150 ppm/℃
  • Робоча температура:-55~+150℃
  • Покриття фланця:нікелеве або срібне покриття (за бажанням)
  • Стандарт ROHS:Відповідає
  • Довжина повідця:L, як зазначено в технічному паспорті
  • Індивідуальний дизайн доступний на запит.:
  • Деталі продукту

    Теги продукту

    Фланцеве завершення

    Фланцеве завершення
    Основні технічні характеристики:

    Номінальна потужність: 5-1500 Вт
    Матеріали підкладки: BeO, AlN, Al2O3
    Номінальне значення опору: 50 Ом
    Допуск опору: ±5%, ±2%, ±1%
    Температурний коефіцієнт: <150 ppm/℃
    Робоча температура: -55~+150℃
    Покриття фланців: нікельоване або срібне покриття (за бажанням)
    Стандарт ROHS: Відповідає
    Застосовуваний стандарт: Q/RFTYTR001-2022
    Довжина виводу: L, як зазначено в технічному паспорті
    (можна налаштувати відповідно до вимог замовника)

    zxczxc1
    Потужність
    (З)
    Частота
    Діапазон
    Розмір (одиниця: мм) СубстратМатеріал Конфігурація Технічний лист
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РИС.1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РИС.1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РИС.2   RFT50A-05TM0904(П,Л,І)
    10 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РИС.2   RFT50-10TM7750((П,Л))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  РИС.1   RFT50A-10TM1304
    AlN РИС.1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  РИС.1   RFT50A-10TM1104
    AlN РИС.1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 РИС.2   RFT50A-10TM0904(П,Л,І)
      AlN РИС.2   RFT50N-10TJ0904(П,Л,І)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИС.1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РИС.1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИС.2   RFT50-10TM0904(П,Л,І)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РИС.2   RFT50-10TM7750I
    20 Вт 4 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РИС.2   RFT50-20TM7750((П,Л))
    6 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN РИС.1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 AlN РИС.1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 AlN РИС.2   RFT50N-20TJ0904(П,Л,І)
    8 ГГц 13.0 4.0 9.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИС.1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 БеО РИС.1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0,8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 БеО РИС.2   RFT50-10TM0904(П,Л,І)
    18 ГГц 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 БеО РИС.2   RFT50-10TM7750I
    30 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN РИС.1   RFT50N-30TJ1606
    БеО РИС.1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.1   RFT50N-30TJ2006
    БеО РИС.1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.2   RFT50N-30TJ1306(П,Л,І)
    3.0 БеО РИС.2   RFT50-30TM1306(П,Л,І)
    60 Вт 6 ГГц 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 AlN РИС.1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 БеО РИС.1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 БеО РИС.1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.2   RFT50N-60TJ1306(П,Л,І)
    3.2 БеО РИС.2   RFT50-60TM1306(П,Л,І)
    法兰式终端 РИС.3,4,5
    Потужність
    (З)
    Частота
    Діапазон
    Розміри (одиниця: мм) Субстрат
    Матеріал
    Конфігурація Технічний паспорт (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РИС.1   RFT50-100TM2595
    4 ГГц 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 БеО РИС.2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.4   RFT50-100TJ1610(П,Л,І)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-100TJ2510
    5 ГГц 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 БеО РИС.2   RFT50-100TJ1363(П,Л,І)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 БеО РИС.1   RFT50-100TM1663
    6 ГГц 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 AlN РИС.1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.1   RFT50N-100TJ2006B
    8 ГГц 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 AlN РИС.1   RFT50N-100TJ2006C
    150 Вт 3 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.4   RFT50-150TM1610(П,Л,І)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 АЇН РИС.1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РИС.1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-150TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.4   RFT50-150TJ1610(П,Л,І)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-150TJ2510
    200 Вт 3 ГГц 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 БеО РИС.1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-200TM2510
    4 ГГц 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.2   RFT50-200TM1610(П,Л,І)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-150TJ2510
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИС.1   RFT50-200TM3213B
    250 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50-250TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИС.1   RFT50-250TM3213B
    300 Вт 3 ГГц 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 БеО РИС.1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 БеО РИС.1   RFT50-300TM2710
    10 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИС.1   RFT50-300TM3213B
    400 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИС.1   RFT50-400TM3213
    500 Вт 2 ГГц 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 БеО РИС.1   RFT50-500TM3213
    800 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО РИС.5   RFT50-800TM4826
    1000 Вт 1 ГГц 48,0 26,0 40,0 26,0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 БеО РИС.5   RFT50-1000TM4826
    1500 Вт 0,8 ГГц 50,0 78,0 40,0 26,0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 БеО РИС.5   RFT50-1500TM5078

    Огляд

    Фланець зазвичай виготовлений з мідного покриття, нікелевий або срібний, оброблений. Підкладка резистивного типу зазвичай виготовлена ​​з оксиду берилію, нітриду алюмінію та оксиду алюмінію, залежно від потреб у потужності та умов тепловіддачі.

    Фланцеве завершення, як і вивідне завершення, в основному використовується для поглинання сигнальних хвиль, що передаються до кінця кола, запобігання відбиттю сигналу від кола та забезпечення якості передачі сигналу в системі кола.

    Фланцеве закріплення характеризується легким монтажем порівняно з накладними резисторами завдяки фланцу та монтажним отворам на фланці.


  • Попередній:
  • Далі: