продуктів

Продукти

Виведене завершення

Наконечник з виведеннями — це резистор, встановлений наприкінці ланцюга, який поглинає сигнали, що передаються в ланцюзі, і запобігає відображенню сигналу, тим самим впливаючи на якість передачі ланцюга.

Наконечники з виведеннями також відомі як одновивідні кінцеві резистори SMD.Встановлюється в кінці контуру за допомогою зварювання.Основною метою є поглинання сигнальних хвиль, що передаються до кінця ланцюга, запобігання впливу відбиття сигналу на ланцюг і забезпечення якості передачі ланцюгової системи.


Деталі продукту

Теги товарів

Виведене завершення

Виведене завершення
Основні технічні характеристики:
Номінальна потужність: 5-800 Вт;
Матеріали підкладки: BeO、AlN、Al2O3
Номінальне значення опору: 50 Ом
Допуск опору: ±5%、±2%、±1%
температурний коефіцієнт: <150ppm/℃
Робоча температура: -55 ~ + 150 ℃
Стандарт ROHS: відповідає
Застосовний стандарт: Q/RFTYTR001-2022
Довжина дроту: L, як зазначено в технічному паспорті
(можна налаштувати відповідно до вимог замовника)

Рейтинг1
потужність(W) Частота Розміри (одиниці: мм) Підкладкаматеріал Технічний паспорт (PDF)
A B H G W L
5W 6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3     RFT50A-05TM0404
11 ГГц 1.27 2.54 0,5 1.0 0,8 3.0 AlN     RFT50N-05TJ1225
10 Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-10TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50A-10TM0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-10TM5023
20 Вт 4 ГГц 2.5 5.0 1.0 1.9 1.0 4.0 BeO     RFT50-20TM2550
6 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 Al2O3      RFT50N-20TJ0404
8 ГГц 4.0 4.0 1.0 1.6 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM0404
10 ГГц 5.0 3.5 1.0 1.9 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5035
18 ГГц 5.0 2.5 1.0 1.8 1.0 3.0 BeO     RFT50-20TM5023
30 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-30TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-30TM0606
60 Вт 6 ГГц 6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 AlN     RFT50N-60TJ0606
6.0 6.0 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TM0606
6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-60TJ6363
100 Вт 3 ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-100TJ6395
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ9595
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-100TJ1010
6 ГГц 6.35 6.35 1.0 1.8 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ6363
8.9 5.7 1.0 1.6 1.0 5.0 AlN     RFT50N-100TJ8957B
     
8 ГГц 9.0 6.0 1.5 2.0 1.0 5.0 BeO     RFT50-100TJ0906C
150 Вт 3 ГГц 6.35 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 AlN     RFT50N-150TJ6395
9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ9595
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010
6 ГГц 10,0 10,0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-150TJ1010B
200 Вт 3 ГГц 9.5 9.5 1.0 1.6 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ9595
 
4 ГГц 10,0 10,0 1.0 1.8 1.4 5.0 BeO     RFT50-200TJ1010
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-200TM1313B
250 Вт 3 ГГц 12.0 10,0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-250TM1313B
300 Вт 3 ГГц 12.0 10,0 1.5 2.5 1.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1210
10 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-300TM1313B
400 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-400TM1313
500 Вт 2 ГГц 12.7 12.7 2.0 3.5 2.4 5.0 BeO     RFT50-500TM1313
800 Вт 1 ГГц 25.4 25.4 3.2 4 6 7 BeO     RFT50-800TM2525

Огляд

Виведене завершення виконується шляхом вибору відповідного розміру підкладки та матеріалів на основі різних вимог до частоти та вимог до потужності за допомогою опору, друку схем та спікання.Зазвичай використовуваними матеріалами підкладки можуть бути переважно оксид берилію, нітрид алюмінію, оксид алюмінію або матеріали з кращим розсіюванням тепла.

Етилований термінал, розділений на процес тонкої плівки та процес товстої плівки.Він розроблений на основі конкретних вимог до потужності та частоти, а потім обробляється в процесі.Якщо у вас є особливі потреби, зв’яжіться з нашим торговим персоналом, щоб надати конкретні рішення для налаштування.


  • Попередній:
  • далі:

  • Напишіть своє повідомлення тут і надішліть його нам